Ещё из раздела
- NLP204818B200TQLI IC: SRAM memory; 2Mx18bit; 3.3V; 3.1ns; TQFP100; parallel; -40÷85°C
- X25U12835FBBI10GTR IC: память FLASH; 128Мб; QPI,SPI; 16Mx8бит; 104МГц; 1,65÷2В
- WV51216EALL70BLITR IC: память SRAM; 512Кx16бит; 1,7÷1,95В; 70нс; TFBGA48; -40÷85°C
- 43DR86400E-3DBLITR IC: память DRAM; 16Mx8битx4; 333МГц; 15нс; TWBGA60; -40÷85°C
- M95080-RDW6TP IC: память EEPROM; SPI; 1024x8бит; 1,8÷5,5В; 20МГц; TSSOP8
- NLP12836EC200B3LI IC: SRAM memory; 128kx36bit; 3.3V; 3.1ns; TFBGA165; parallel
- WV51216EDBLL10BLA3 IC: память SRAM; 512Кx16бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TFBGA48; параллельный
- VPS204836B250B3LI IC: SRAM memory; 2Mx36bit; 2.5V; 2.8ns; TFBGA165; parallel
- 43DR16128C25DBLITR IC: память DRAM; 16Mx8битx8; 400МГц; 12,5нс; TWBGA84; -40÷85°C
- 42SM16320E-6BLI IC: память DRAM; 8Mx16битx4; 166МГц; 6нс; TFBGA54; -40÷85°C
- LF25636A7.5B3LA3 IC: SRAM memory; 256kx36bit; 3.3V; 7.5ns; PBGA165; parallel
- 43DR82560C-25DBL IC: DRAM memory; 32Mx8bitx8; 400MHz; 5ns; TWBGA60; 0÷85°C; parallel
- 43LR32640A-6BL IC: DRAM memory; 16Mx32bitx4; 166MHz; 6ns; WBGA90; 0÷70°C; parallel
- 43DR16160B-25DBLTR IC: память DRAM; 4Mx16битx4; 400МГц; 12,5нс; TWBGA84; 0÷85°C
- LF25636A7.5TQLI IC: SRAM memory; 256kx36bit; 3.3V; 7.5ns; TQFP100; parallel
- 42S32800J-7BLI IC: память DRAM; 2Mx32битx4; 143МГц; 7нс; TFBGA90; -40÷85°C
- WV1288BLL55HLA1TR IC: память SRAM; 128Кx8бит; 2,5÷3,6В; 55нс; STSOP32; параллельный
- 46DR16320E25DBLA1T IC: память DRAM; 8Mx16битx4; 400МГц; 12,5нс; TWBGA84; -40÷85°C
- WV6416EEBLL10BLI IC: память SRAM; 64Кx16бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TFBGA48; параллельный
- 42S32200L-7TLI-TR IC: память DRAM; 512Кx32битx4; 143МГц; 7нс; TSOP86 II; -40÷85°C
- 42S32400F-6BL-TR IC: память DRAM; 1Mx32битx4; 166МГц; 6нс; TFBGA90; 0÷70°C; 3÷3,6ВDC
- WVE2M16EBLL70BLI IC: память SRAM; 2Mx16бит; 2,7÷3,6В; 70нс; TFBGA48; параллельный
- MX68GL1G0FDXFI-12G IC: память FLASH; 120нс; LFBGA64; параллельный
- 42S32800J-75ETL IC: память DRAM; 2Mx32битx4; 133МГц; 7,5нс; TSOP86 II; 0÷70°C
Памяти - микросхемы
11 623 позицииПо умолчанию