Ещё из раздела
- MX30LF2G18AC-TI/TR IC: память FLASH; 20нс; TSOP48; параллельный
- N24RF64EDTPT3G IC: EEPROM memory; I2C,RF; 8kx8bit/2kx32bit; 1.8÷5.5V; 1MHz
- NLP51218B200TQLITR IC: SRAM memory; 512kx18bit; 3.3V; 3.1ns; QFP100; parallel
- MX25L6445EMI-10GTR IC: память FLASH; 64Мб; SPI; 8Mx8бит; 104МГц; 2,7÷3,6В; SOP16
- MX25L6433FZ2I08GTR IC: память FLASH; 64Мб; SPI; 8Mx8бит; 133МГц; 2,65÷3,6В; WSON8
- 43DR16128C-3DBL IC: память DRAM; 16Mx8битx8; 333МГц; 15нс; TWBGA84; 0÷85°C
- 45S16320F-7TLA2 IC: память DRAM; 8Mx16битx4; 143МГц; 7нс; TSOP54 II; -40÷105°C
- 42S16320F-6BL IC: память DRAM; 8Mx16битx4; 167МГц; 6нс; TWBGA54; 0÷70°C; 3÷3,6ВDC
- CAV24C128YE-GT3 IC: память EEPROM; I2C; 16Кx8бит; 2,5÷5,5В; 1МГц; TSSOP8
- MX25R4035FZUIH1/TR IC: память FLASH; 4Мб; SPI; 512Кx8бит; 108МГц; 1,65÷3,6В; USON8
- WV6416BLL12KLITR IC: память SRAM; 64Кx16бит; 3,3В; 12нс; SOJ44; параллельный
- X29GL256FUXFI11GTR IC: память FLASH; 110нс; LFBGA64; параллельный
- 42S16320F-6TLI-TR IC: память DRAM; 8Mx16битx4; 167МГц; 6нс; TSOP54 II; -40÷85°C
- 45S16160J-7BLA2 IC: память DRAM; 4Mx16битx4; 143МГц; 7нс; TFBGA54; -40÷105°C
- NV24C64DWVLT3G IC: память EEPROM; I2C; 8Кx8бит; 1,7÷5,5В; 1МГц; SOIC8
- 25WP512M-RMLE-TR IC: память FLASH; 512Мб; DTR,QPI,SPI; 112МГц; 1,65÷1,95В; SO16
- 42VM16160K-6BLI-TR IC: память DRAM; 4Mx16битx4; 166МГц; 6нс; TFBGA54; -40÷85°C
- 49RL18320A-093EBLI IC: DRAM memory; 2Mx18bitx16; 1066MHz; 8ns; FBGA168; -40÷95°C
- 42S16100H-7BLI-TR IC: память DRAM; 512Кx16битx2; 143МГц; 7нс; TFBGA60; -40÷85°C
- WV102416EALL55BLI IC: память SRAM; 1Mx16бит; 1,65÷1,98В; 55нс; VFBGA48; параллельный
- CAT24C128HU4IGT3 IC: память EEPROM; I2C; 16Кx8бит; 1,8÷5,5В; 1МГц; uDFN8
- 25LP128F-RMLE-TR IC: память FLASH; 128Мб; DTR,QPI,SPI; 166МГц; 2,3÷3,6В; SO16
- LF25636A7.5TQLA3TR IC: SRAM memory; 256kx36bit; 3.3V; 7.5ns; TQFP100; parallel
- 42S83200J-7TLI IC: память DRAM; 8Mx8битx4; 143МГц; 7нс; TSOP54 II; -40÷85°C
Памяти - микросхемы
11 623 позиции