Ещё из раздела
- AS4C64M32MD1-5BCN IC: память DRAM; 64Mx32бит; 1,8В; 200МГц; 15нс; FBGA90; 0÷70°C
- AS4C64M32MD1-5BIN IC: память DRAM; 64Mx32бит; 1,8В; 200МГц; 15нс; FBGA90; -40÷85°C
- AS4C64M4SA-6TIN IC: память DRAM; 4Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II; -40÷85°C
- AS4C64M4SA-7TCN IC: память DRAM; 4Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; TSOP54 II; 0÷70°C
- AS4C8M16SA-6BIN IC: память DRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; FBGA54; -40÷85°C
- AS4C8M16SA-7BCN IC: память DRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; FBGA54; 0÷70°C
- AS4C8M32MD2A-25BCN IC: память DRAM; 8Mx32бит; 1,7÷1,95В; 400МГц; 5,5нс; FBGA134
- AS4C8M32SA-6BIN IC: память DRAM; 2Mx32битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; TFBGA90; -40÷85°C
- AS4C8M32SA-7BCN IC: память DRAM; 2Mx32битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; TFBGA90; 0÷70°C
- AS6C1608-55BIN IC: память SRAM; 2Mx8бит; 2,7÷3,6В; 55нс; TFBGA48
- AS6C1608-55TIN IC: память SRAM; 2Mx8бит; 2,7÷3,6В; 55нс; TSOP44 II; 400mils
- AS6C3216A-55BIN IC: память SRAM; 2Mx16бит; 2,7÷3,6В; 55нс; TFBGA48
- AS6C3216A-55TIN IC: память SRAM; 2Mx16бит; 2,7÷3,6В; 55нс; TSOP48
- AS6C4008A-55TIN IC: память SRAM; 512Кx8бит; 2,7÷3,6В; 55нс; TSOP32
- AS6C4008A-55ZIN IC: память SRAM; 512Кx8бит; 2,7÷3,6В; 55нс; TSOP32 II; 400mils
- AS6C4016A-45ZIN Память SRAM; 256Кx16бит; 2,7÷5,5В; 45нс; TSOP44 II
- AS6C6416-55BIN IC: память SRAM; 4Mx16бит; 2,7÷3,6В; 55нс; TFBGA48
- AS6C6416-55TIN IC: память SRAM; 4Mx16бит; 2,7÷3,6В; 55нс; TSOP48
- AS6C8008A-45ZIN Память SRAM; 1024Кx8бит; 2,7÷3,6В; 45нс; TSOP44 II
- AS6C8016-55TIN IC: память SRAM; 512Кx16бит; 2,7÷3,6В; 55нс; TSOP48
- AS7C164A-15JIN IC: память SRAM; 8Кx8бит; 4,5÷5,5В; 15нс; SOJ28; 300mils
- AS7C164A-15PCN IC: память SRAM; 8Кx8бит; 4,5÷5,5В; 15нс; DIP28
- AS7C31026C-12BIN IC: память SRAM; 64Кx16бит; 3÷3,6В; 12нс; BGA48; параллельный
- AT24CM01-XHM-B IC: память EEPROM; I2C; 128Кx8бит; 1,7÷5,5В; 1МГц; TSSOP8
Памяти - микросхемы
11 623 позицииПо умолчанию