Ещё из раздела
- RM25C64DS-LSNIB Память; EEPROM; SPI; 1,65?3,6В; 20МГц; SO8; Упаковка: туба; CBRAM®
- RM25C64DS-LTAIB Память; EEPROM; SPI; 1,65?3,6В; 20МГц; TSSOP8; Упаковка: туба
- WV6416EEBLL-1TLITR IC: память SRAM; 64Кx16бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TSOP44 II; -40÷85°C
- WV6416EEBLL-10TLI IC: память SRAM; 64Кx16бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TSOP44 II; -40÷85°C
- WV6416DBLL-1TLITR IC: память SRAM; 64Кx16бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TSOP44 II; -40÷85°C
- WV6416BLL-12TLITR IC: память SRAM; 64Кx16бит; 3,3В; 12нс; TSOP44 II; параллельный
- WV6416BLL-12TLI IC: память SRAM; 64Кx16бит; 3,3В; 12нс; TSOP44 II; параллельный
- WV3216BLL-12TLI IC: память SRAM; 32Кx18бит; 3,3В; 12нс; TSOP44 II; параллельный
- WV2568BLL-55TLITR IC: память SRAM; 256Кx8бит; 2,5÷3,6В; 55нс; TSOP32; параллельный
- WV2568BLL-55HLI IC: память SRAM; 256Кx8бит; 2,5÷3,6В; 55нс; STSOP32; параллельный
- WV25616BLL-55TLITR IC: память SRAM; 256Кx16бит; 2,5÷3,6В; 55нс; TSOP44 II; -40÷85°C
- WV1288EEBLL-10TLI IC: память SRAM; 128Кx8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TSOP32 II; -40÷85°C
- WV1288DBLL-10TLI IC: память SRAM; 128Кx8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TSOP32 II; -40÷85°C
- WV1288DBLL-10HLI IC: память SRAM; 128Кx8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; STSOP32; параллельный
- WV1288BLL-55TLI-TR IC: память SRAM; 128Кx8бит; 2,5÷3,6В; 55нс; TSOP32; параллельный
- WV1288BLL-55QLITR IC: память SRAM; 128Кx8бит; 2,5÷3,6В; 55нс; TSOP32 II; -40÷85°C
- WV1288BLL-55QLI IC: память SRAM; 128Кx8бит; 2,5÷3,6В; 55нс; SOP32; параллельный
- WV12816BLL-55TLITR IC: память SRAM; 128Кx16бит; 2,5÷3,6В; 55нс; TSOP44 II; -40÷85°C
- WV1024BLL-12TLITR IC: память SRAM; 128Кx8бит; 3,3В; 12нс; TSOP32 II; параллельный
- WV1024BLL-12JLI IC: память SRAM; 128Кx8бит; 3,3В; 12нс; SOJ32; параллельный
- WV1024BLL-12HLITR IC: память SRAM; 128Кx8бит; 3,3В; 12нс; STSOP32; параллельный
- WV1024BLL-12HLI IC: память SRAM; 64Кx16бит; 3,3В; 10нс; TSOP44 II; параллельный
- MX68GL1G0FUT2I-12G IC: память FLASH; 120нс; TSOP56; параллельный
- MX68GL1G0FLT2I-11G IC: память FLASH; 110нс; TSOP56; параллельный
Памяти - микросхемы
11 623 позиции