Ещё из раздела
- 11AA010T-I/SN IC: память EEPROM; 1кБEEPROM; UNI/O; 128x8бит; SOIC8; бобина,лента
- 11AA010T-I/TT IC: память EEPROM; 1кБEEPROM; UNI/O; 128x8бит; последовательный
- 11AA020-I/TO IC: память EEPROM; 2кБEEPROM; UNI/O; 256x8бит; TO92; сумка
- 11AA020T-I/MNY IC: память EEPROM; 2кБEEPROM; UNI/O; 256x8бит; TDFN8; бобина,лента
- 11AA020T-I/MS IC: память EEPROM; 2кБEEPROM; UNI/O; 256x8бит; TSSOP8
- 11AA020T-I/SN IC: память EEPROM; 2кБEEPROM; UNI/O; 256x8бит; SOIC8; бобина,лента
- 11AA020T-I/TT IC: память EEPROM; 2кБEEPROM; UNI/O; 256x8бит; последовательный
- 11AA02E48T-I/SN IC: память EEPROM; 2кБEEPROM; UNI/O; 256x8бит; SOIC8; бобина,лента
- 11AA02E64T-I/SN IC: память EEPROM; 2кБEEPROM; UNI/O; 256x8бит; SOIC8; бобина,лента
- 11AA02E64T-I/TT IC: память EEPROM; 2кБEEPROM; UNI/O; 256x8бит; последовательный
- 11AA02UIDT-I/SN IC: память EEPROM; 2кБEEPROM; UNI/O; 256x8бит; SOIC8; бобина,лента
- 11AA02UIDT-I/TT IC: память EEPROM; 2кБEEPROM; UNI/O; 256x8бит; последовательный
- 11AA040-I/TO IC: память EEPROM; 4кБEEPROM; UNI/O; 512x8бит; TO92; сумка
- 11AA040T-I/MNY IC: память EEPROM; 4кБEEPROM; UNI/O; 512x8бит; TDFN8; бобина,лента
- 11AA040T-I/MS IC: память EEPROM; 4кБEEPROM; UNI/O; 512x8бит; TSSOP8
- 11AA040T-I/SN IC: память EEPROM; 4кБEEPROM; UNI/O; 512x8бит; SOIC8; бобина,лента
- 11AA040T-I/TT IC: память EEPROM; 4кБEEPROM; UNI/O; 512x8бит; последовательный
- 11AA080-I/TO IC: память EEPROM; 8кБEEPROM; UNI/O; 1Кx8бит; TO92; сумка
- 11AA080T-I/MNY IC: память EEPROM; 8кБEEPROM; UNI/O; 1Кx8бит; TDFN8; бобина,лента
- 11AA080T-I/MS IC: память EEPROM; 8кБEEPROM; UNI/O; 1Кx8бит; TSSOP8; бобина,лента
- 11AA080T-I/SN IC: память EEPROM; 8кБEEPROM; UNI/O; 1Кx8бит; SOIC8; бобина,лента
- 11AA080T-I/TT IC: память EEPROM; 8кБEEPROM; UNI/O; 1Кx8бит; последовательный
- 11AA160-I/TO IC: память EEPROM; 16кБEEPROM; UNI/O; 2Кx8бит; TO92; сумка
- 11AA160T-I/MNY IC: память EEPROM; 16кБEEPROM; UNI/O; 2Кx8бит; TDFN8; бобина,лента
Памяти - микросхемы
11 623 позицииПо умолчанию