SQJQ112E-T1_GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+0 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 2000
    Срок поставки и цену сообщим по вашему запросу
  • Артикул
    SQJQ112E-T1-GE3
  • Производитель
    VISHAY
Вы можете запросить у нас любое количество SQJQ112E-T1_GE3, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

SQJQ112E-T1-GE3 описание и характеристики

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 296A; 600W

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Рассеиваемая мощность
    600Вт
  • Полярность
    полевой
  • Применение
    автомобильная отрасль
  • Заряд затвора
    181нC
  • Ток стока
    296А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    100В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    2,53мОм
  • Вес
    0.16g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация