SQJ211ELP-T1_GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 26997 шт
Количество Цена
1 1 727 ₽
10 402 ₽
100 197 ₽
500 149 ₽
3000 119 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+17 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4-6 недель
    Цена включает НДС
  • Артикул
    SQJ211ELPT1GE3-0
  • Производитель
    VISHAY
SQJ211ELP-T1_GE3 от 119 рублей в наличии 26997 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SQJ211ELPT1GE3-0 описание и характеристики

Transistor: P-MOSFET

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    SO8
  • Рассеиваемая мощность
    68Вт
  • Ток стока
    33,6А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    100В
  • Тип транзистора
    P-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    30мОм
  • Gate-source voltage
    20В
  • Вес
    0.15g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация