SQ3427AEEV-T1_GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 6466 шт
Количество Цена
1 161 ₽
100 87 ₽
1000 61 ₽
6000 49 ₽
15000 45 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+6 баллов
SQ3427AEEV-T1_GE3 от 45 рублей в наличии 6466 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SQ3427AEEV-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -5,3А; Idm: -21А

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    TSOP6
  • Рассеиваемая мощность
    1,6Вт
  • Полярность
    полевой
  • Применение
    автомобильная отрасль
  • Вид упаковки
    лента
  • Вид упаковки
    бобина
  • Технология
    TrenchFET®
  • Характеристики полупроводниковых элементов
    ESD protected gate
  • Заряд затвора
    22нC
  • Ток стока
    -5,3А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    -60В
  • Тип транзистора
    P-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    178мОм
  • Напряжение затвор-исток
    ±20В
  • Ток стока в импульсном режиме
    -21А
  • Вес
    0.1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Смежные товары

Похожие товары

Регистрация