SQ2361AEES-T1_GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+4 балла
Вы можете запросить у нас любое количество SQ2361AEES-T1_GE3, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

SQ2361AEES-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -2,8А; Idm: -11А; 0,67Вт; SOT23

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    SOT23
  • Рассеиваемая мощность
    0,67Вт
  • Полярность
    полевой
  • Применение
    автомобильная отрасль
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Характеристики полупроводниковых элементов
    ESD protected gate
  • Заряд затвора
    15нC
  • Ток стока
    -2,8А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    -60В
  • Тип транзистора
    P-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    315мОм
  • Напряжение затвор-исток
    ±20В
  • Ток стока в импульсном режиме
    -11А
  • Вес
    0.1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Смежные товары

Вы смотрели:

Похожие товары

Регистрация