Бесплатная доставка по России
Каталог товаров

SQ2309ES-T1_GE3

SQ2309ES-T1_GE3

Изображения демонстрационные и могут отличаться от товара. Смотрите техническое описание.

  • всего в наличии: 5897 шт
Количество Цена ₽ /шт
5 93
50 72
100 65
500 58
1500 47
Добавить 5 шт. на ₽
В корзину
От 5 шт.
Доступно 5 897 шт.

Условия

  • Минимально 5 и кратно 5
  • Срок поставки 4-6 недель
  • Цена включает НДС

Артикул

SQ2309ES-T1-GE3

Производитель

Техническое описание

Купить SQ2309ES-T1_GE3 от 5 шт с помощью банковской карты Visa, Mastercard, МИР можно прямо сейчас на нашем сайте.

Работаем с частными и юридическими лицами.

SQ2309ES-T1-GE3 описание и характеристики

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -1.7A; Idm: -6.8A

Производитель VISHAY
Выбрано: Показать
Монтаж SMD
Выбрано: Показать
Корпус SOT23
Выбрано: Показать
Рассеиваемая мощность 2W
Выбрано: Показать
Полярность unipolar
Выбрано: Показать
Вид упаковки reel
Выбрано: Показать
Вид упаковки tape
Выбрано: Показать
Технология TrenchFET®
Выбрано: Показать
Заряд затвора 8.5nC
Выбрано: Показать
Ток стока -1.7A
Выбрано: Показать
Вид канала enhanced
Выбрано: Показать
Напряжение сток-исток -60V
Выбрано: Показать
Тип транзистора P-MOSFET
Выбрано: Показать
Сопротивление в открытом состоянии 704mΩ
Выбрано: Показать
Ток стока в импульсном режиме -6.8A
Выбрано: Показать
Gate-source voltage ±20V
Выбрано: Показать
Вес 0.01g

Вы недавно смотрели

Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти