SQ2309ES-T1_GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 16027 шт
Количество Цена
5 112 ₽
50 71 ₽
100 52 ₽
500 43 ₽
1500 39.4 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+5 баллов
SQ2309ES-T1_GE3 от 39.4 рублей в наличии 16027 шт производства VISHAY, купить от 5 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SQ2309ES-T1-GE3 описание и характеристики

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -1.7A; Idm: -6.8A

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    SOT23
  • Рассеиваемая мощность
    2W
  • Полярность
    unipolar
  • Вид упаковки
    reel
  • Вид упаковки
    tape
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    8.5nC
  • Ток стока
    -1.7A
  • Вид канала
    enhanced
  • Напряжение сток-исток
    -60V
  • Тип транзистора
    P-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    704mΩ
  • Ток стока в импульсном режиме
    -6.8A
  • Gate-source voltage
    ±20V
  • Вес
    0.01g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация