SQ2309ES-T1_GE3

всего в наличии 26517 шт
Количество Цена
1 173 ₽
100 129 ₽
1000 103 ₽
9000 53 ₽
45000 50 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+7 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4 недели
    Цена включает НДС
  • Артикул
    SQ2309ES-T1-GE3
  • Производитель
    VISHAY
SQ2309ES-T1_GE3 от 50 рублей в наличии 26517 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SQ2309ES-T1-GE3 описание и характеристики

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -1.7A; Idm: -6.8A

  • Производитель
    VISHAY
  • Технология
    TrenchFET®
  • Монтаж
    SMD
  • Рассеиваемая мощность
    2W
  • Корпус
    SOT23
  • Вид упаковки
    reel
  • Вид упаковки
    tape
  • Напряжение сток-исток
    -60V
  • Ток стока
    -1.7A
  • Сопротивление в открытом состоянии
    704mΩ
  • Тип транзистора
    P-MOSFET
  • Полярность
    unipolar
  • Заряд затвора
    8.5nC
  • Вид канала
    enhanced
  • Gate-source voltage
    ±20V
  • Ток стока в импульсном режиме
    -6.8A
  • Вес
    0.01g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация