SISS65DN-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 7 шт
Количество Цена
1 309 ₽
10 147 ₽
100 131 ₽
500 103 ₽
3000 82 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+12 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4-6 недель
    Цена включает НДС
  • Артикул
    SISS65DN-T1-GE3
  • Производитель
    VISHAY
SISS65DN-T1-GE3 от 82 рублей в наличии 7 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SISS65DN-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: P-MOSFET

  • Производитель
    VISHAY
  • Тип транзистора
    P-MOSFET
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Полярность
    полевой
  • Рассеиваемая мощность
    42.1W
  • Корпус
    PowerPAK® 1212-8
  • Ток стока в импульсном режиме
    -120А
  • Gate-source voltage
    ±20V
  • Сопротивление в открытом состоянии
    7,5мОм
  • Вид канала
    обогащенный
  • Ток стока
    75.2A
  • Напряжение сток-исток
    -30В
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    138нC
  • Монтаж
    SMD
  • Вес
    1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация