SISS63DN-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 35 шт
Количество Цена
1 1 621 ₽
10 335 ₽
100 151 ₽
500 111 ₽
3000 87 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+13 баллов
SISS63DN-T1-GE3 от 87 рублей в наличии 35 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SISS63DN-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: P-MOSFET

  • Производитель
    VISHAY
  • Тип транзистора
    P-MOSFET
  • Монтаж
    SMD
  • Заряд затвора
    236нC
  • Технология
    TrenchFET®
  • Напряжение сток-исток
    -20В
  • Ток стока
    -102А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Сопротивление в открытом состоянии
    7мОм
  • Gate-source voltage
    ±12V
  • Ток стока в импульсном режиме
    -200А
  • Корпус
    PowerPAK® 1212-8
  • Рассеиваемая мощность
    42.1W
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    лента
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вес
    1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация