Бесплатная доставка по России
Каталог товаров

SISS61DN-T1-GE3

SISS61DN-T1-GE3

Изображения демонстрационные и могут отличаться от товара. Смотрите техническое описание.

  • всего в наличии: 3838 шт
Количество Цена ₽ /шт
1 332
10 209
50 159
250 125
1000 104
Добавить 1 шт. на ₽
В корзину
Доступно 3 838 шт.

Условия

  • Срок поставки 4-6 недель
  • Цена включает НДС

Артикул

SISS61DN-T1-GE3

Производитель

Техническое описание

Купить SISS61DN-T1-GE3 от 1 шт с помощью банковской карты Visa, Mastercard, МИР можно прямо сейчас на нашем сайте.

Работаем с частными и юридическими лицами.

SISS61DN-T1-GE3 описание и характеристики

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -89.6A; 42.1W

Производитель VISHAY
Выбрано: Показать
Монтаж SMD
Выбрано: Показать
Корпус PowerPAK® 1212-8
Выбрано: Показать
Рассеиваемая мощность 42.1W
Выбрано: Показать
Полярность unipolar
Выбрано: Показать
Вид упаковки reel
Выбрано: Показать
Вид упаковки tape
Выбрано: Показать
Технология TrenchFET®
Выбрано: Показать
Заряд затвора 231nC
Выбрано: Показать
Ток стока -89.6A
Выбрано: Показать
Вид канала enhanced
Выбрано: Показать
Напряжение сток-исток -20V
Выбрано: Показать
Тип транзистора P-MOSFET
Выбрано: Показать
Сопротивление в открытом состоянии 9.8mΩ
Выбрано: Показать
Напряжение затвор-исток ±8V
Выбрано: Показать
Ток стока в импульсном режиме -200A
Выбрано: Показать
Gate-source voltage ±8V
Выбрано: Показать
Вес 1g
Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти