SISS23DN-T1-GE3

всего в наличии 14866 шт
Количество Цена
1 287 ₽
10 180 ₽
500 92 ₽
3000 73 ₽
9000 65 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+9 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4-6 недель
    Цена включает НДС
  • Артикул
    SISS23DN-T1-GE3
  • Производитель
    VISHAY
SISS23DN-T1-GE3 от 65 рублей в наличии 14866 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SISS23DN-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -50А; Idm: -200А; 36Вт

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    PowerPAK® 1212-8
  • Рассеиваемая мощность
    36Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Заряд затвора
    300нC
  • Ток стока
    -50А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    -20В
  • Тип транзистора
    P-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    4,5мОм
  • Напряжение затвор-исток
    ±8В
  • Ток стока в импульсном режиме
    -200А
  • Вес
    0.025g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Смежные товары

Похожие товары

Регистрация