SISH892BDN-T1-GE3

всего в наличии 6851 шт
Количество Цена ₽/шт
1 222
100 134
1000 95
6000 80
30000 73
Бесплатная доставка
и получите
+11 баллов
  • Условия
    Минимально 1 шт и кратно 1 шт
    Срок поставки 4 недели
    Цена включает НДС
  • Артикул
    SISH892BDN-T1-GE3
  • Производитель
    VISHAY
Купить SISH892BDN-T1-GE3 от 1 шт с помощью банковской карты можно прямо сейчас на нашем сайте.
Работаем с частными и юридическими лицами.

SISH892BDN-T1-GE3 описание и характеристики

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 16A; Idm: 40A

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    PowerPAK® SO8
  • Рассеиваемая мощность
    18.6W
  • Полярность
    unipolar
  • Вид упаковки
    reel
  • Вид упаковки
    tape
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    26.5nC
  • Ток стока
    16A
  • Вид канала
    enhanced
  • Напряжение сток-исток
    100V
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    34.7mΩ
  • Напряжение затвор-исток
    ±20V
  • Ток стока в импульсном режиме
    40A
  • Вес
    1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация