SISH892BDN-T1-GE3
Количество | Цена ₽/шт |
---|---|
1 | 222 |
100 | 134 |
1000 | 95 |
6000 | 80 |
30000 | 73 |
-
УсловияМинимально 1 шт и кратно 1 штСрок поставки 4 недели
Цена включает НДС -
АртикулSISH892BDN-T1-GE3
-
ПроизводительVISHAY
Работаем с частными и юридическими лицами.
SISH892BDN-T1-GE3 описание и характеристики
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 16A; Idm: 40A