SISH892BDN-T1-GE3

всего в наличии 35772 шт
Количество Цена
1 237 ₽
10 159 ₽
500 91 ₽
3000 74 ₽
9000 65 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+9 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4-6 недель
    Цена включает НДС
  • Артикул
    SISH892BDN-T1-GE3
  • Производитель
    VISHAY
SISH892BDN-T1-GE3 от 65 рублей в наличии 35772 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SISH892BDN-T1-GE3 описание и характеристики

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 16A; Idm: 40A

  • Производитель
    VISHAY
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Технология
    TrenchFET®
  • Полярность
    unipolar
  • Напряжение сток-исток
    100V
  • Ток стока
    16A
  • Ток стока в импульсном режиме
    40A
  • Рассеиваемая мощность
    18.6W
  • Корпус
    PowerPAK® SO8
  • Напряжение затвор-исток
    ±20V
  • Сопротивление в открытом состоянии
    34.7mΩ
  • Монтаж
    SMD
  • Заряд затвора
    26.5nC
  • Вид упаковки
    reel
  • Вид упаковки
    tape
  • Вид канала
    enhanced
  • Вес
    1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне
Вы смотрели:

Похожие товары

Регистрация