SISH407DN-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 27570 шт
Количество Цена
1 1 554 ₽
10 289 ₽
100 118 ₽
1000 83 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+12 баллов
SISH407DN-T1-GE3 от 83 рублей в наличии 27570 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SISH407DN-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: P-MOSFET

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    PowerPAK® 1212-8
  • Рассеиваемая мощность
    21Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    93,8нC
  • Ток стока
    -25А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    -20В
  • Тип транзистора
    P-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    19,5мОм
  • Ток стока в импульсном режиме
    -40А
  • Gate-source voltage
    ±8V
  • Вес
    1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация