Каталог товаров

SIS903DN-T1-GE3

  • нет в наличии
По запросу

Условия

  • Срок поставки и цену сообщим по вашему запросу

Артикул

SIS903DN-T1-GE3

Производитель

Техническое описание

Купить SIS903DN-T1-GE3 от 1 шт с помощью банковской карты Visa, Mastercard, МИР можно прямо сейчас на нашем сайте.

Работаем с частными и юридическими лицами.

SIS903DN-T1-GE3 описание и характеристики

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6A; Idm: -40A

Производитель VISHAY
Выбрано: Показать
Монтаж SMD
Выбрано: Показать
Корпус PowerPAK® 1212-8
Выбрано: Показать
Рассеиваемая мощность 14.8W
Выбрано: Показать
Полярность unipolar
Выбрано: Показать
Вид упаковки reel
Выбрано: Показать
Вид упаковки tape
Выбрано: Показать
Технология TrenchFET®
Выбрано: Показать
Заряд затвора 42nC
Выбрано: Показать
Ток стока -6A
Выбрано: Показать
Вид канала enhanced
Выбрано: Показать
Напряжение сток-исток -20V
Выбрано: Показать
Тип транзистора P-MOSFET
Выбрано: Показать
Сопротивление в открытом состоянии 40mΩ
Выбрано: Показать
Напряжение затвор-исток ±8V
Выбрано: Показать
Ток стока в импульсном режиме -40A
Выбрано: Показать
Gate-source voltage ±8V
Выбрано: Показать
Вес 1g
Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти