SIS427EDN-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 7375 шт
Количество Цена
1 216 ₽
10 135 ₽
100 88 ₽
3000 54 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+8 баллов
SIS427EDN-T1-GE3 от 54 рублей в наличии 7375 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SIS427EDN-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: P-MOSFET

  • Производитель
    VISHAY
  • Тип транзистора
    P-MOSFET
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Полярность
    полевой
  • Рассеиваемая мощность
    33Вт
  • Корпус
    PowerPAK® 1212-8
  • Ток стока в импульсном режиме
    -110А
  • Gate-source voltage
    ±25V
  • Сопротивление в открытом состоянии
    21,3мОм
  • Вид канала
    обогащенный
  • Ток стока
    -44,3А
  • Напряжение сток-исток
    -30В
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    66нC
  • Монтаж
    SMD
  • Вес
    1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация