SIS412DN-T1-GE3

всего в наличии 2929 шт
Количество Цена
3 124 ₽
25 112 ₽
100 100 ₽
500 90 ₽
3000 85 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+12 баллов
  • Условия
    Минимально 3 и кратно 3
    Срок поставки 4-6 недель
    Цена включает НДС
  • Артикул
    SIS412DN-T1-GE3
  • Производитель
    VISHAY
  • Техническое описание:
SIS412DN-T1-GE3 от 85 рублей в наличии 2929 шт производства VISHAY, купить от 3 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SIS412DN-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 12А; Idm: 30А; 10Вт

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    PowerPAK® 1212-8
  • Рассеиваемая мощность
    10Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Заряд затвора
    12нC
  • Ток стока
    12А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    30В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    24мОм
  • Напряжение затвор-исток
    ±20В
  • Ток стока в импульсном режиме
    30А
  • Вес
    0.025g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Смежные товары

Похожие товары

Регистрация