SIRA99DP-T1-GE3

SIRA99DP-T1-GE3
SIRA99DP-T1-GE3
Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+48 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки и цену сообщим по вашему запросу
  • Артикул
    SIRA99DP-T1-GE3
  • Производитель
    VISHAY
Вы можете запросить у нас любое количество SIRA99DP-T1-GE3, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

SIRA99DP-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: P-MOSFET

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    PowerPAK® SO8
  • Рассеиваемая мощность
    66,6Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    260нC
  • Ток стока
    -156А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    -30В
  • Тип транзистора
    P-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    2,65мОм
  • Ток стока в импульсном режиме
    -400А
  • Gate-source voltage
    -20...16В
  • Вес
    1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи
+7 (499) 677-21-46

Перезвоните мне

Похожие товары

+7 (499) 677-21-46
Вход | Регистрация
Вход | Регистрация
В корзине
нет товаров
+7 (499) 677-21-46
Каталог
Корзина
нет товаров
Каталог
Главная Каталог Корзина Профиль
Регистрация