Бесплатная доставка по России
Каталог товаров

SIRA06DP-T1-GE3

SIRA06DP-T1-GE3

Изображения демонстрационные и могут отличаться от товара. Смотрите техническое описание.

  • всего в наличии: 970 шт
Количество Цена ₽ /шт
1 254
10 206
100 154
500 125
Добавить 1 шт. на ₽
В корзину
Доступно 970 шт.

Условия

  • Срок поставки 4-6 недель
  • Цена включает НДС

Артикул

SIRA06DP-T1-GE3

Производитель

Техническое описание

Купить SIRA06DP-T1-GE3 от 1 шт с помощью банковской карты Visa, Mastercard, МИР можно прямо сейчас на нашем сайте.

Работаем с частными и юридическими лицами.

SIRA06DP-T1-GE3 описание и характеристики

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A; Idm: 80A; 40W

Производитель VISHAY
Выбрано: Показать
Монтаж SMD
Выбрано: Показать
Корпус PowerPAK® SO8
Выбрано: Показать
Рассеиваемая мощность 40W
Выбрано: Показать
Полярность unipolar
Выбрано: Показать
Вид упаковки reel
Выбрано: Показать
Вид упаковки tape
Выбрано: Показать
Технология TrenchFET®
Выбрано: Показать
Заряд затвора 77nC
Выбрано: Показать
Ток стока 40A
Выбрано: Показать
Вид канала enhanced
Выбрано: Показать
Напряжение сток-исток 30V
Выбрано: Показать
Тип транзистора N-MOSFET
Выбрано: Показать
Сопротивление в открытом состоянии 3.5mΩ
Выбрано: Показать
Напряжение затвор-исток ±20/±-16V
Выбрано: Показать
Ток стока в импульсном режиме 80A
Выбрано: Показать
Gate-source voltage -16...20В
Выбрано: Показать
Вес 1g
Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти