SIR871DP-T1-GE3

SIR871DP-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.

нет в наличии

Количество	Цена
1	522 ₽
10	338 ₽
100	234 ₽
500	191 ₽
3000	181 ₽

по запросу

Запросить

Условия

Минимально 1 и кратно 1

Срок поставки и цену сообщим по вашему запросу
Артикул
SIR871DP-T1-GE3
Производитель
VISHAY
Техническое описание:

Документация язык en

Pdf, 392.49 KB

Вы можете запросить у нас любое количество SIR871DP-T1-GE3, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

SIR871DP-T1-GE3 описание и характеристики

Transistor: P-MOSFET

Похожие товары

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4А; 1,4Вт; SOT23

+1403 балла

Подробнее

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,2А; 900мВт; SOT23

+20250 баллов

Подробнее

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4,3А; 1,4Вт; SOT23

+5850 баллов

Подробнее

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,2А; 1Вт; SOT23

+2205 баллов

Подробнее

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,4А; 900мВт; SOT23

+2580 баллов

Подробнее

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4А; 1Вт; SOT23

+6570 баллов

Подробнее

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,8А; 900мВт; SOT23

+5400 баллов

Подробнее

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2А; 900мВт; SOT23

+8775 баллов

Подробнее

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2А; 900мВт; SOT23

+6300 баллов

Подробнее

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,3А; 600мВт; SOT23

+8730 баллов

Подробнее

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -5А; 2Вт; SO8

+4425 баллов

Подробнее

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -10А; 2Вт; SO8

+3225 баллов

Подробнее

+7 (499) 677-21-46

|

TM

|

В корзине

нет товаров

+7 (499) 677-21-46

TM Электроникс

Электронные компоненты
и радиодетали

Корзина

нет товаров

Каталог