SIR662DP-T1-GE3

всего в наличии 2365 шт
Количество Цена
1 437 ₽
10 322 ₽
100 233 ₽
500 190 ₽
3000 174 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+26 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4-6 недель
    Цена включает НДС
  • Артикул
    SIR662DP-T1-GE3
  • Производитель
    VISHAY
SIR662DP-T1-GE3 от 174 рублей в наличии 2365 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SIR662DP-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; Idm: 350А; 66,6Вт

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    PowerPAK® SO8
  • Рассеиваемая мощность
    66,6Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Заряд затвора
    96нC
  • Ток стока
    100А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    60В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    2,7мОм
  • Напряжение затвор-исток
    ±20В
  • Ток стока в импульсном режиме
    350А
  • Вес
    0.025g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Смежные товары

Похожие товары

Регистрация