SIR1309DP-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 5740 шт
Количество Цена
1 1 586 ₽
10 309 ₽
100 132 ₽
500 96 ₽
3000 74 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+11 баллов
SIR1309DP-T1-GE3 от 74 рублей в наличии 5740 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SIR1309DP-T1-GE3 описание и характеристики

Transistor: P-MOSFET

  • Рассеиваемая мощность
    56,8Вт
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Полярность
    полевой
  • Корпус
    PowerPAK® SO8
  • Ток стока в импульсном режиме
    -150A
  • Gate-source voltage
    ±25V
  • Сопротивление в открытом состоянии
    13мОм
  • Вид канала
    обогащенный
  • Ток стока
    -65,7А
  • Напряжение сток-исток
    -30В
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    87нC
  • Монтаж
    SMD
  • Производитель
    VISHAY
  • Тип транзистора
    P-MOSFET
  • Вес
    0.1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация