SIJK5100E-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 7234 шт
Количество Цена
1 2 598 ₽
10 1 004 ₽
100 646 ₽
500 599 ₽
1500 487 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+73 балла
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4-6 недель
    Цена включает НДС
  • Артикул
    SIJK5100E-T1-GE3
  • Производитель
    VISHAY
SIJK5100E-T1-GE3 от 487 рублей в наличии 7234 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SIJK5100E-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 417А

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    PowerPAK® 1012
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    131нC
  • Ток стока
    417А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    100В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    1,4мОм
  • Gate-source voltage
    ±20В
  • Вес
    0.14g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация