SIHD2N80AE-GE3

всего в наличии 8494 шт
Количество Цена
1 316 ₽
10 144 ₽
500 136 ₽
3000 126 ₽
9000 119 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+17 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4 недели
    Цена включает НДС
  • Артикул
    SIHD2N80AE-GE3
  • Производитель
    VISHAY
SIHD2N80AE-GE3 от 119 рублей в наличии 8494 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SIHD2N80AE-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,8А; Idm: 3,6А; 62,5Вт; DPAK

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    DPAK
  • Рассеиваемая мощность
    62,5Вт
  • Полярность
    полевой
  • Характеристики полупроводниковых элементов
    ESD protected gate
  • Заряд затвора
    10,5нC
  • Ток стока
    1,8А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    800В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    2,5Ом
  • Напряжение затвор-исток
    ±30В
  • Ток стока в импульсном режиме
    3,6А
  • Вес
    0.326g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Смежные товары

Похожие товары

Регистрация