SIHD2N80AE-GE3
Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии
1604 шт
| Количество | Цена |
|---|---|
| 1 | 277 ₽ |
| 10 | 179 ₽ |
| 500 | 117 ₽ |
| 3000 | 94 ₽ |
| 12000 | 87 ₽ |
+
-
Бесплатная доставка
-
УсловияМинимально 1 и кратно 1Срок поставки 4-6 недель
Цена включает НДС -
АртикулSIHD2N80AE-GE3
-
ПроизводительVISHAY
-
Техническое описание:
SIHD2N80AE-GE3 от 87 рублей в наличии 1604 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно 
банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.
банковской картой или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.
SIHD2N80AE-GE3 описание и характеристики
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,8А; Idm: 3,6А; 62,5Вт; DPAK
Смежные товары
Вы смотрели:
