Бесплатная доставка по России
Каталог товаров

SIHB21N80AE-GE3

SIHB21N80AE-GE3

Изображения демонстрационные и могут отличаться от товара. Смотрите техническое описание.

  • всего в наличии: 583 шт
Количество Цена ₽ /шт
1 758
10 497
50 385
100 349
500 286
Добавить 1 шт. на ₽
В корзину
Доступно 583 шт.

Условия

  • Срок поставки 4-6 недель
  • Цена включает НДС

Артикул

SIHB21N80AE-GE3

Производитель

Купить SIHB21N80AE-GE3 от 1 шт с помощью банковской карты Visa, Mastercard, МИР можно прямо сейчас на нашем сайте.

Работаем с частными и юридическими лицами.

SIHB21N80AE-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET

Производитель VISHAY
Выбрано: Показать
Монтаж SMD
Выбрано: Показать
Корпус D2PAK
Выбрано: Показать
Корпус TO263
Выбрано: Показать
Рассеиваемая мощность 179Вт
Выбрано: Показать
Полярность полевой
Выбрано: Показать
Вид упаковки бобина
Выбрано: Показать
Вид упаковки лента
Выбрано: Показать
Заряд затвора 72нC
Выбрано: Показать
Ток стока 11А
Выбрано: Показать
Вид канала обогащенный
Выбрано: Показать
Напряжение сток-исток 800В
Выбрано: Показать
Тип транзистора N-MOSFET
Выбрано: Показать
Сопротивление в открытом состоянии 0.235Ω
Выбрано: Показать
Ток стока в импульсном режиме 38А
Выбрано: Показать
Gate-source voltage ±30V
Выбрано: Показать
Вес 2g
Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти