SIHB12N65E-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 4716 шт
Количество Цена
1 718 ₽
10 470 ₽
50 363 ₽
100 328 ₽
500 268 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+40 баллов
SIHB12N65E-GE3 от 268 рублей в наличии 4716 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SIHB12N65E-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET

  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Полярность
    полевой
  • Рассеиваемая мощность
    156Вт
  • Корпус
    TO263
  • Корпус
    D2PAK
  • Ток стока в импульсном режиме
    28А
  • Gate-source voltage
    ±30V
  • Сопротивление в открытом состоянии
    0,38Ом
  • Вид канала
    обогащенный
  • Ток стока
    8А
  • Напряжение сток-исток
    650В
  • Заряд затвора
    70нC
  • Монтаж
    SMD
  • Производитель
    VISHAY
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Вес
    2g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация