SIHB12N60ET1-GE3

SIHB12N60ET1-GE3

нет в наличии

по запросу

Запросить

Условия

Минимально 1 и кратно 1

Срок поставки и цену сообщим по вашему запросу
Артикул
SIHB12N60ET1-GE3
Производитель
VISHAY

Вы можете запросить у нас любое количество SIHB12N60ET1-GE3, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

SIHB12N60ET1-GE3 описание и характеристики

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.8A; Idm: 27A; 147W

Похожие товары

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,8А; 0,2Вт; SOT23

+31050 баллов

Подробнее

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,21А; 0,3Вт; SOT23

+23400 баллов

Подробнее

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,5А; SOT23-3

+144045 баллов

Подробнее

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,115А; 0,225Вт; SOT23

+2655 баллов

Подробнее

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,115А; 0,2Вт; SOT23

+21150 баллов

Подробнее

Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 60В; 0,19А; Idm: 1,2А; 830мВт

+49275 баллов

Подробнее

Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 60В; 0,245А; Idm: 1,2А; 1,2Вт

+24480 баллов

Подробнее

Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 60В; 0,215А; Idm: 1,2А

+115830 баллов

Подробнее

2N7002DWH6327XTSA1

2N7002DWH6327XTSA1

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,3А; 0,5Вт; PG-SOT-363

+193050 баллов

Подробнее

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,2А; 0,37Вт; SOT23

+4140 баллов

Подробнее

2N7002H6327XTSA2

2N7002H6327XTSA2

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,3А; 0,5Вт; PG-SOT23

+112860 баллов

Подробнее

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,38А; 0,42Вт; SOT23

+25200 баллов

Подробнее

+7 (499) 677-21-46

|

TM

|

В корзине

нет товаров

+7 (499) 677-21-46

TM Электроникс

Электронные компоненты
и радиодетали

Корзина

нет товаров

Каталог

Способ доставки

Курьером

Самовывоз

Куда доставить заказ?

Выберите пункт выдачи на карте или используйте поиск

Определить местоположение

alt text