SIDR626DP-T1-GE3

всего в наличии 8656 шт
Количество Цена
5 619 ₽
50 573 ₽
100 525 ₽
500 376 ₽
1500 370 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+55 баллов
SIDR626DP-T1-GE3 от 370 рублей в наличии 8656 шт производства VISHAY, купить от 5 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SIDR626DP-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 100А; Idm: 200А

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    PowerPAK® SO8
  • Рассеиваемая мощность
    80Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    102нC
  • Ток стока
    100А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    60В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    2,6мОм
  • Напряжение затвор-исток
    ±20В
  • Ток стока в импульсном режиме
    200А
  • Вес
    0.1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Смежные товары

Похожие товары

Регистрация