SIDR610DP-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 4727 шт
Количество Цена
8 666 ₽
9 586 ₽
27 532 ₽
96 492 ₽
412 439 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+65 баллов
SIDR610DP-T1-GE3 от 439 рублей в наличии 4727 шт производства VISHAY, купить от 8 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SIDR610DP-T1-GE3 описание и характеристики

Transistor: N-MOSFET

  • Производитель
    VISHAY
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Монтаж
    SMD
  • Заряд затвора
    38нC
  • Технология
    TrenchFET®
  • Напряжение сток-исток
    200В
  • Ток стока
    39,6А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Сопротивление в открытом состоянии
    33,4мОм
  • Gate-source voltage
    ±20V
  • Ток стока в импульсном режиме
    80А
  • Корпус
    PowerPAK® SO8
  • Рассеиваемая мощность
    125Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    лента
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вес
    0.1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация