Каталог товаров

SIB457EDK-T1-GE3

  • всего в наличии: 105251 шт
Количество Цена ₽ /шт
1 36
10 34.5
3000 34.5
Добавить 1 шт. на ₽
В корзину
Доступно 105 251 шт.

Условия

  • Срок поставки 4-6 недель
  • Цена включает НДС

Артикул

SIB457EDK-T1-GE3

Производитель

Техническое описание

Купить SIB457EDK-T1-GE3 от 1 шт с помощью банковской карты Visa, Mastercard, МИР можно прямо сейчас на нашем сайте.

Работаем с частными и юридическими лицами.

SIB457EDK-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -6,8А; Idm: -25А; 8,4Вт

Полярность полевой
Выбрано: Показать
Корпус PowerPAK® SC75
Выбрано: Показать
Заряд затвора 44нC
Выбрано: Показать
Ток стока в импульсном режиме -25А
Выбрано: Показать
Производитель VISHAY
Выбрано: Показать
Рассеиваемая мощность 8,4Вт
Выбрано: Показать
Вид упаковки бобина
Выбрано: Показать
Gate-source voltage ±8V
Выбрано: Показать
Напряжение затвор-исток ±8В
Выбрано: Показать
Монтаж SMD
Выбрано: Показать
Сопротивление в открытом состоянии 35мОм
Выбрано: Показать
Вид упаковки лента
Выбрано: Показать
Характеристики полупроводниковых элементов ESD protected gate
Выбрано: Показать
Ток стока -6,8А
Выбрано: Показать
Вид канала обогащенный
Выбрано: Показать
Напряжение сток-исток -20В
Выбрано: Показать
Тип транзистора P-MOSFET
Выбрано: Показать
Технология TrenchFET®
Выбрано: Показать
Версия ESD
Выбрано: Показать
Вес 0.025g
Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти