SIA929DJ-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 3419 шт
Количество Цена
1 1 526 ₽
10 271 ₽
100 106 ₽
500 74 ₽
3000 57 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+8 баллов
SIA929DJ-T1-GE3 от 57 рублей в наличии 3419 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SIA929DJ-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4,5А; Idm: -15А; 5Вт

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    PowerPAK® SC70
  • Рассеиваемая мощность
    5Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    21нC
  • Ток стока
    -4,5А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    -30В
  • Тип транзистора
    P-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    64мОм
  • Напряжение затвор-исток
    ±12В
  • Ток стока в импульсном режиме
    -15А
  • Gate-source voltage
    ±12V
  • Вес
    0.025g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Смежные товары

Похожие товары

Регистрация