Каталог товаров

SIA817EDJ-T1-GE3

  • всего в наличии: 7251 шт
Количество Цена ₽ /шт
1 1 419
10 226
100 78
500 52
3000 38.6
Добавить 1 шт. на ₽
В корзину
Доступно 7 251 шт.

Условия

  • Срок поставки 4-6 недель
  • Цена включает НДС

Артикул

SIA817EDJ-T1-GE3

Производитель

Техническое описание

Купить SIA817EDJ-T1-GE3 от 1 шт с помощью банковской карты Visa, Mastercard, МИР можно прямо сейчас на нашем сайте.

Работаем с частными и юридическими лицами.

SIA817EDJ-T1-GE3 описание и характеристики

Transistor: P-MOSFET

Производитель VISHAY
Выбрано: Показать
Монтаж SMD
Выбрано: Показать
Корпус PowerPAK® SC70
Выбрано: Показать
Рассеиваемая мощность 6,5Вт
Выбрано: Показать
Полярность полевой
Выбрано: Показать
Вид упаковки лента
Выбрано: Показать
Вид упаковки бобина
Выбрано: Показать
Технология TrenchFET®
Выбрано: Показать
Заряд затвора 23нC
Выбрано: Показать
Ток стока -4,5А
Выбрано: Показать
Вид канала обогащенный
Выбрано: Показать
Напряжение сток-исток -30В
Выбрано: Показать
Тип транзистора P-MOSFET + Schottky
Выбрано: Показать
Сопротивление в открытом состоянии 0,125Ом
Выбрано: Показать
Ток стока в импульсном режиме -15А
Выбрано: Показать
Gate-source voltage ±12V
Выбрано: Показать
Вес 0.1g
Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти