SIA811ADJ-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 2176 шт
Количество Цена
1 1 458 ₽
10 230 ₽
100 78 ₽
500 52 ₽
3000 38 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+5 баллов
SIA811ADJ-T1-GE3 от 38 рублей в наличии 2176 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SIA811ADJ-T1-GE3 описание и характеристики

Transistor: P-MOSFET

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    PowerPAK® SC70
  • Рассеиваемая мощность
    6,8Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    13нC
  • Ток стока
    -4,5А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    -20В
  • Тип транзистора
    P-MOSFET + Schottky
  • Сопротивление в открытом состоянии
    0.205Ω
  • Ток стока в импульсном режиме
    -8А
  • Gate-source voltage
    ±8V
  • Вес
    0.1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация