SIA477EDJT-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 4123 шт
Количество Цена
1 1 471 ₽
10 236 ₽
100 81 ₽
500 55 ₽
3000 40.6 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+6 баллов
SIA477EDJT-T1-GE3 от 40.6 рублей в наличии 4123 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SIA477EDJT-T1-GE3 описание и характеристики

Transistor: P-MOSFET

  • Производитель
    VISHAY
  • Тип транзистора
    P-MOSFET
  • Монтаж
    SMD
  • Заряд затвора
    83нC
  • Технология
    TrenchFET®
  • Напряжение сток-исток
    -12В
  • Ток стока
    -12А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Сопротивление в открытом состоянии
    32мОм
  • Gate-source voltage
    ±8V
  • Ток стока в импульсном режиме
    -50А
  • Корпус
    PowerPAK® SC70
  • Рассеиваемая мощность
    19Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    лента
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вес
    0.1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне
Вы смотрели:

Похожие товары

Регистрация