Каталог товаров

SIA445EDJ-T1-GE3

  • нет в наличии
По запросу

Условия

  • Срок поставки и цену сообщим по вашему запросу

Артикул

SIA445EDJ-T1-GE3

Производитель

Техническое описание

Купить SIA445EDJ-T1-GE3 от 14 шт с помощью банковской карты Visa, Mastercard, МИР можно прямо сейчас на нашем сайте.

Работаем с частными и юридическими лицами.

SIA445EDJ-T1-GE3 описание и характеристики

Transistor: P-MOSFET

Производитель VISHAY
Выбрано: Показать
Монтаж SMD
Выбрано: Показать
Корпус PowerPAK® SC70
Выбрано: Показать
Рассеиваемая мощность 19Вт
Выбрано: Показать
Полярность полевой
Выбрано: Показать
Вид упаковки лента
Выбрано: Показать
Вид упаковки бобина
Выбрано: Показать
Технология TrenchFET®
Выбрано: Показать
Заряд затвора 72нC
Выбрано: Показать
Ток стока -12А
Выбрано: Показать
Вид канала обогащенный
Выбрано: Показать
Напряжение сток-исток -20В
Выбрано: Показать
Тип транзистора P-MOSFET
Выбрано: Показать
Сопротивление в открытом состоянии 30мОм
Выбрано: Показать
Ток стока в импульсном режиме -50А
Выбрано: Показать
Gate-source voltage ±12V
Выбрано: Показать
Вес 0.1g
Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти