Каталог товаров

SIA413DJ-T1-GE3

  • всего в наличии: 107643 шт
Количество Цена ₽ /шт
1 1 523
10 299
50 155
500 93
Добавить 1 шт. на ₽
В корзину
Доступно 107 643 шт.

Условия

  • Срок поставки 4-6 недель
  • Цена включает НДС

Артикул

SIA413DJ-T1-GE3

Производитель

Купить SIA413DJ-T1-GE3 от 1 шт с помощью банковской карты Visa, Mastercard, МИР можно прямо сейчас на нашем сайте.

Работаем с частными и юридическими лицами.

SIA413DJ-T1-GE3 описание и характеристики

Transistor: P-MOSFET

Производитель VISHAY
Выбрано: Показать
Монтаж SMD
Выбрано: Показать
Корпус PowerPAK® SC70
Выбрано: Показать
Рассеиваемая мощность 19Вт
Выбрано: Показать
Полярность полевой
Выбрано: Показать
Вид упаковки бобина
Выбрано: Показать
Вид упаковки лента
Выбрано: Показать
Технология TrenchFET®
Выбрано: Показать
Заряд затвора 57нC
Выбрано: Показать
Ток стока -12А
Выбрано: Показать
Вид канала обогащенный
Выбрано: Показать
Напряжение сток-исток -12В
Выбрано: Показать
Тип транзистора P-MOSFET
Выбрано: Показать
Сопротивление в открытом состоянии 0,1Ом
Выбрано: Показать
Ток стока в импульсном режиме -40А
Выбрано: Показать
Gate-source voltage ±8V
Выбрано: Показать
Вес 0.1g
Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти