SIA413DJ-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 108243 шт
Количество Цена
1 1 583 ₽
10 311 ₽
100 134 ₽
1000 96 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+14 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4-6 недель
    Цена включает НДС
  • Артикул
    SIA413DJ-T1-GE3
  • Производитель
    VISHAY
SIA413DJ-T1-GE3 от 96 рублей в наличии 108243 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SIA413DJ-T1-GE3 описание и характеристики

Transistor: P-MOSFET

  • Производитель
    VISHAY
  • Тип транзистора
    P-MOSFET
  • Монтаж
    SMD
  • Заряд затвора
    57нC
  • Технология
    TrenchFET®
  • Напряжение сток-исток
    -12В
  • Ток стока
    -12А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Сопротивление в открытом состоянии
    0,1Ом
  • Gate-source voltage
    ±8V
  • Ток стока в импульсном режиме
    -40А
  • Корпус
    PowerPAK® SC70
  • Рассеиваемая мощность
    19Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    лента
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вес
    0.1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация