SI9407BDY-T1-GE3

всего в наличии 2182 шт
Количество Цена
1 251 ₽
50 191 ₽
500 126 ₽
2500 89 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+13 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4-6 недель
    Цена включает НДС
  • Артикул
    SI9407BDY-T1-GE3
  • Производитель
    VISHAY
SI9407BDY-T1-GE3 от 89 рублей в наличии 2182 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SI9407BDY-T1-GE3 описание и характеристики

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -4.7A; Idm: -20A

  • Производитель
    VISHAY
  • Технология
    TrenchFET®
  • Монтаж
    SMD
  • Рассеиваемая мощность
    5W
  • Корпус
    SO8
  • Вид упаковки
    reel
  • Вид упаковки
    tape
  • Напряжение сток-исток
    -60V
  • Ток стока
    -4.7A
  • Сопротивление в открытом состоянии
    0.15Ω
  • Тип транзистора
    P-MOSFET
  • Полярность
    unipolar
  • Заряд затвора
    22nC
  • Вид канала
    enhanced
  • Gate-source voltage
    ±20V
  • Ток стока в импульсном режиме
    -20A
  • Вес
    0.1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация