SI8851EDB-T2-E1 от 36 рублей Transistor: P-MOSFET производства VISHAY SI8851EDB-T2-E1

Каталог товаров

Показать все результаты

Вы недавно смотрели

Производитель	VISHAY	Выбрано: Показать
Монтаж	SMD	Выбрано: Показать
Корпус	MICROFOOT®	Выбрано: Показать
Рассеиваемая мощность	3,1Вт	Выбрано: Показать
Полярность	полевой	Выбрано: Показать
Вид упаковки	лента	Выбрано: Показать
Вид упаковки	бобина	Выбрано: Показать
Технология	TrenchFET®	Выбрано: Показать
Заряд затвора	180нC	Выбрано: Показать
Ток стока	-16,7А	Выбрано: Показать
Вид канала	обогащенный	Выбрано: Показать
Напряжение сток-исток	-20В	Выбрано: Показать
Тип транзистора	P-MOSFET	Выбрано: Показать
Сопротивление в открытом состоянии	18,5мОм	Выбрано: Показать
Ток стока в импульсном режиме	-80А	Выбрано: Показать
Gate-source voltage	±8V	Выбрано: Показать
Вес	0.1g