SI8851EDB-T2-E1

SI8851EDB-T2-E1

нет в наличии

Количество	Цена
1	268 ₽
100	109 ₽
1000	76 ₽
6000	60 ₽
15000	55 ₽

по запросу

Запросить

Условия

Минимально 1 и кратно 1

Срок поставки и цену сообщим по вашему запросу
Артикул
SI8851EDB-T2-E1
Производитель
VISHAY

Вы можете запросить у нас любое количество SI8851EDB-T2-E1, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

SI8851EDB-T2-E1 описание и характеристики

Transistor: P-MOSFET

Производитель

VISHAY
Тип транзистора

P-MOSFET
Вес

0.1g

Бесплатная доставка

Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

+7 (499) 677-21-46

info@tmelectronics.ru

Похожие товары

2SJ668(TE16L1,NQ)

2SJ668(TE16L1,NQ)

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -5А; 20Вт; DPAK

+7207 баллов

Подробнее

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4А; 1,4Вт; SOT23

+23040 баллов

Подробнее

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,2А; 900мВт; SOT23

+2250 баллов

Подробнее

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4,3А; 1,4Вт; SOT23

+3259 баллов

Подробнее

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,2А; 1Вт; SOT23

+2700 баллов

Подробнее

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,4А; 900мВт; SOT23

+3150 баллов

Подробнее

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4А; 1Вт; SOT23

+7920 баллов

Подробнее

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,8А; 900мВт; SOT23

+6525 баллов

Подробнее

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2А; 900мВт; SOT23

+9450 баллов

Подробнее

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2А; 900мВт; SOT23

+7650 баллов

Подробнее

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,3А; 600мВт; SOT23

+6750 баллов

Подробнее

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -5А; 2Вт; SO8

+5400 баллов

Подробнее

+7 (499) 677-21-46

|

TM

|

В корзине

нет товаров

+7 (499) 677-21-46

TM Электроникс

Электронные компоненты
и радиодетали

Корзина

нет товаров

Каталог

Способ доставки

Курьером

Самовывоз

Куда доставить заказ?

Выберите пункт выдачи на карте или используйте поиск

Определить местоположение

alt text