Каталог товаров

SI8819EDB-T2-E1

  • всего в наличии: 8500 шт
Количество Цена ₽ /шт
1 1 382
10 209
100 67
500 43.5
3000 31.5
Добавить 1 шт. на ₽
В корзину
Доступно 8 500 шт.

Условия

  • Срок поставки 4-6 недель
  • Цена включает НДС

Артикул

SI8819EDB-T2-E1

Производитель

Техническое описание

Купить SI8819EDB-T2-E1 от 1 шт с помощью банковской карты Visa, Mastercard, МИР можно прямо сейчас на нашем сайте.

Работаем с частными и юридическими лицами.

SI8819EDB-T2-E1 описание и характеристики

Transistor: P-MOSFET

Производитель VISHAY
Выбрано: Показать
Монтаж SMD
Выбрано: Показать
Корпус MICROFOOT®
Выбрано: Показать
Рассеиваемая мощность 0,9Вт
Выбрано: Показать
Полярность полевой
Выбрано: Показать
Вид упаковки лента
Выбрано: Показать
Вид упаковки бобина
Выбрано: Показать
Технология TrenchFET®
Выбрано: Показать
Заряд затвора 17нC
Выбрано: Показать
Ток стока -2,9А
Выбрано: Показать
Вид канала обогащенный
Выбрано: Показать
Напряжение сток-исток -12В
Выбрано: Показать
Тип транзистора P-MOSFET
Выбрано: Показать
Сопротивление в открытом состоянии 0,28Ом
Выбрано: Показать
Ток стока в импульсном режиме -15А
Выбрано: Показать
Gate-source voltage ±8V
Выбрано: Показать
Вес 0.001g
Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти