Бесплатная доставка по России
Каталог товаров

SI8818EDB-T2-E1

  • нет в наличии
По запросу

Условия

  • Срок поставки и цену сообщим по вашему запросу

Артикул

SI8818EDB-T2-E1

Производитель

Купить SI8818EDB-T2-E1 от 1 шт с помощью банковской карты Visa, Mastercard, МИР можно прямо сейчас на нашем сайте.

Работаем с частными и юридическими лицами.

SI8818EDB-T2-E1 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 2,2А

Производитель VISHAY
Выбрано: Показать
Сопротивление в открытом состоянии 128мОм
Выбрано: Показать
Монтаж SMD
Выбрано: Показать
Заряд затвора 4,6нC
Выбрано: Показать
Полярность полевой
Выбрано: Показать
Технология TrenchFET®
Выбрано: Показать
Ток стока 2,2А
Выбрано: Показать
Вид канала обогащенный
Выбрано: Показать
Напряжение сток-исток 30В
Выбрано: Показать
Тип транзистора N-MOSFET
Выбрано: Показать
Gate-source voltage ±12В
Выбрано: Показать
Вес 0.022g
Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти