SI8487DB-T1-E1

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+7 баллов
Вы можете запросить у нас любое количество SI8487DB-T1-E1, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

SI8487DB-T1-E1 описание и характеристики

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -6,4А; 1,8/0,73Вт

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    MICROFOOT® 1.6x1.6
  • Рассеиваемая мощность
    1,8/0,73Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Заряд затвора
    80нC
  • Ток стока
    -6,4А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    -30В
  • Тип транзистора
    P-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    45мОм
  • Напряжение затвор-исток
    ±12В
  • Вес
    0.021g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Смежные товары

Похожие товары

Регистрация