SI8413DB-T1-E1

SI8413DB-T1-E1
SI8413DB-T1-E1
Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+25 баллов
  • Условия
    Минимально 18 и кратно 18
    Срок поставки и цену сообщим по вашему запросу
  • Артикул
    SI8413DB-T1-E1
  • Производитель
    VISHAY
  • Техническое описание:
    Документация язык en
    Pdf, 231.5 KB
Вы можете запросить у нас любое количество SI8413DB-T1-E1, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

SI8413DB-T1-E1 описание и характеристики

Transistor: P-MOSFET

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    MICROFOOT® 1.6x1.6
  • Рассеиваемая мощность
    2,77Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    21нC
  • Ток стока
    -6,5А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    -20В
  • Тип транзистора
    P-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    63мОм
  • Ток стока в импульсном режиме
    -25А
  • Gate-source voltage
    ±12V
  • Вес
    0.001g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи
+7 (499) 677-21-46

Перезвоните мне

Похожие товары

+7 (499) 677-21-46
Вход | Регистрация
Вход | Регистрация
В корзине
нет товаров
+7 (499) 677-21-46
Каталог
Корзина
нет товаров
Каталог
Главная Каталог Корзина Профиль
Регистрация