SI8409DB-T1-E1

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 22267 шт
Количество Цена
1 327 ₽
10 207 ₽
50 155 ₽
500 109 ₽
9000 78 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+11 баллов
SI8409DB-T1-E1 от 78 рублей в наличии 22267 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SI8409DB-T1-E1 описание и характеристики

Transistor: P-MOSFET

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    MICROFOOT® 1.6x1.6
  • Рассеиваемая мощность
    2,77Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    26нC
  • Ток стока
    -6,3А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    -30В
  • Тип транзистора
    P-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    65мОм
  • Ток стока в импульсном режиме
    -25А
  • Gate-source voltage
    ±12V
  • Вес
    0.001g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация