SI7617DN-T1-GE3

всего в наличии 2870 шт
Количество Цена
1 204 ₽
25 155 ₽
250 135 ₽
1000 125 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+18 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4-6 недель
    Цена включает НДС
  • Артикул
    SI7617DN-T1-GE3
  • Производитель
    VISHAY
  • Техническое описание:
SI7617DN-T1-GE3 от 125 рублей в наличии 2870 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SI7617DN-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -13,9А; Idm: -60А; 33Вт

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    PowerPAK® 1212-8
  • Рассеиваемая мощность
    33Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Заряд затвора
    59нC
  • Ток стока
    -13,9А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    -30В
  • Тип транзистора
    P-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    12,3мОм
  • Напряжение затвор-исток
    ±25В
  • Ток стока в импульсном режиме
    -60А
  • Вес
    0.025g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Смежные товары

Похожие товары

Регистрация