Бесплатная доставка по России
Каталог товаров

SI7456DP-T1-GE3

SI7456DP-T1-GE3

Изображения демонстрационные и могут отличаться от товара. Смотрите техническое описание.

  • нет в наличии
По запросу

Условия

  • Минимально 5 и кратно 5
  • Срок поставки и цену сообщим по вашему запросу

Артикул

SI7456DP-T1-GE3

Производитель

Техническое описание

Купить SI7456DP-T1-GE3 от 5 шт с помощью банковской карты Visa, Mastercard, МИР можно прямо сейчас на нашем сайте.

Работаем с частными и юридическими лицами.

SI7456DP-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 5,7А; Idm: 40А; 1Вт

Рассеиваемая мощность 1Вт
Выбрано: Показать
Ток стока в импульсном режиме 40А
Выбрано: Показать
Тип транзистора N-MOSFET
Выбрано: Показать
Корпус PowerPAK® SO8
Выбрано: Показать
Производитель VISHAY
Выбрано: Показать
Полярность полевой
Выбрано: Показать
Напряжение затвор-исток ±20В
Выбрано: Показать
Напряжение сток-исток 100В
Выбрано: Показать
Ток стока 5,7А
Выбрано: Показать
Сопротивление в открытом состоянии 25мОм
Выбрано: Показать
Монтаж SMD
Выбрано: Показать
Заряд затвора 44нC
Выбрано: Показать
Вид упаковки бобина
Выбрано: Показать
Вид упаковки лента
Выбрано: Показать
Вид канала обогащенный
Выбрано: Показать
Применение автомобильная отрасль
Выбрано: Показать
Технология TrenchFET®
Выбрано: Показать
Gate-source voltage ±20V
Выбрано: Показать
Вес 0.025g

Вы недавно смотрели

Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти